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科学日报北京3月22日讯——普林斯顿大学官方网站21日宣布，其研究人员发现，α-硒化锗(α-GeSe)化合物在一定条件下可以转化为另一种全新的形式(β-GeSe)，其具有类似石墨烯的环状结构，且层状结构更像“船形”，表现出更优越的导电特性。相关论文发表在《美国化学学会杂志》上。
石墨烯是一种具有神奇电学性质的二维材料。然而，由于缺乏带隙，石墨烯电子器件的发展多年来一直受到严重阻碍。近年来，与其非常接近的黑磷因其具有一定的带隙和高电荷转移能力而引起了研究者的关注。特别是黑磷在高压下可以转化为简单的“椅子”状三维结构，电气性能可以大大提高。
α-锗硒化物在自然界中含量丰富，一些研究人员认为它具有与黑磷相同的电学特性。在最近的研究中，普林斯顿大学团队将α-硒化锗加热到1200℃，温度为60，000个大气压。结果表明，它不仅能进化成像黑磷一样的椅子状三维结构，而且其中一些还能进化成惊人的船状结构。第一作者费边·范·罗尔认为，不同的结构决定了这些化合物不同的电学性质。与标准的“椅”形黑磷和α-硒化锗相比，“舟”形β-硒化锗具有更稳定的层状结构和更好的电性能，层间距离更小。
研究人员还发现，两种形式的硒化锗都比黑磷具有更宽的带隙，这意味着它们比黑磷具有更大的应用潜力。此外，黑磷在空气体和水溶液中显示出极高的化学活性，但是硒化锗更稳定，并且成为开发电子产品的另一个有吸引力的优势。(记者聂)
